يشترى APT33GF120LRDQ2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
APT33GF120LRDQ2G
- رقم القطعة:
- APT33GF120LRDQ2G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- IGBT 1200V 64A 357W TO264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13373 Pieces
- ورقة البيانات:
- APT33GF120LRDQ2G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT33GF120LRDQ2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT33GF120LRDQ2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 3V @ 15V, 25A |
| اختبار حالة: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 14ns/185ns |
| تحويل الطاقة: | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264 [L] |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 357W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| اسماء اخرى: | APT33GF120LRDQ2GMI APT33GF120LRDQ2GMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | APT33GF120LRDQ2G |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 170nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] |
| وصف: | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 75A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 64A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPT33GF120LRDQ2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW35HF60W | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO247 | تحقيق |
 |
IXBH14N250A | IXYS | IGBT 2500V TO247AD | تحقيق |
|
IXGH40N60A3D1 | IXYS | IGBT 600V TO-247 | تحقيق |
|
IXXH40N65B4H1 | IXYS | IGBT 650V 120A 455W TO247AD | تحقيق |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | تحقيق |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
|
IXGH30N60B | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO247AD | تحقيق |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | تحقيق |
 |
RJH60F0DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P | تحقيق |
|
IXGH30N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247AD | تحقيق |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
 |
IRGIB4630DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 47A 206W TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog