العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - إغبتس - واحدة > APT33GF120BRG
APT33GF120BRG
APT33GF120BRG
رقم القطعة:
APT33GF120BRG
الصانع:
Microsemi
وصف:
IGBT 1200V 52A 297W TO247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16321 Pieces
ورقة البيانات:
1.APT33GF120BRG.pdf2.APT33GF120BRG.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل APT33GF120BRG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك APT33GF120BRG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى APT33GF120BRG مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):1200V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:3.2V @ 15V, 25A
اختبار حالة:-
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:25ns/210ns
تحويل الطاقة:2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247 [B]
سلسلة:-
السلطة - ماكس:297W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:APT33GF120BRGMI
APT33GF120BRGMI-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:22 Weeks
الصانع الجزء رقم:APT33GF120BRG
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:NPT
بوابة المسؤول:170nC
وصف موسع:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B]
وصف:IGBT 1200V 52A 297W TO247
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):104A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):52A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لAPT33GF120BRG

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RJP5001APP-M0#T2 Image RJP5001APP-M0#T2 Renesas Electronics America IGBT 500V TO-220FN تحقيق
APT33GF120B2RDQ2G Image APT33GF120B2RDQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 64A 357W TMAX تحقيق
APT33GF120LRDQ2G Image APT33GF120LRDQ2G Microsemi Corporation IGBT 1200V 64A 357W TO264 تحقيق
APT33N90JCCU3 Image APT33N90JCCU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 تحقيق
IRGR3B60KD2PBF Infineon Technologies IGBT 600V 7.8A 52W DPAK تحقيق
APT75GN60B2DQ3G Image APT75GN60B2DQ3G Microsemi Corporation IGBT 600V 155A 536W TO264 تحقيق
APT33N90JCU2 Image APT33N90JCU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 تحقيق
SGB15N60ATMA1 Image SGB15N60ATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 31A 139W TO263-3 تحقيق
FGH75T65SHDTL4 Image FGH75T65SHDTL4 Fairchild/ON Semiconductor IGBT 650V 150A 455W TO-247 تحقيق
APT33N90JCCU2 Image APT33N90JCCU2 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 تحقيق
IXGP12N100A Image IXGP12N100A IXYS IGBT 1000V 24A 100W TO220AB تحقيق
STGWT40V60DF Image STGWT40V60DF STMicroelectronics IGBT 600V 80A 283W TO3P-3 تحقيق
HGTG20N60A4 Image HGTG20N60A4 Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 70A 290W TO247 تحقيق
APT33N90JCU3 Image APT33N90JCU3 Microsemi Corporation MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 تحقيق

Latest الأخبار