يشترى AFT26H050W26SR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT26H050W26SR3
- رقم القطعة:
- AFT26H050W26SR3
- وصف:
- FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17854 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT26H050W26SR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT26H050W26SR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT26H050W26SR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780S-4L4L-8 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 9W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780S-4L4L-8 |
| اسماء اخرى: | 935311268128 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT26H050W26SR3 |
| ربح: | 14.2dB |
| تردد: | 2.69GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 2.69GHz 14.2dB 9W NI-780S-4L4L-8 |
| وصف: | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT26H050W26SR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT26H200W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
 |
BLF6G38-10,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B | تحقيق |
 |
ATF-52189-TR2 | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ SOT-89 | تحقيق |
 |
PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | تحقيق |
 |
AFT26HW050GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 | تحقيق |
 |
PTFB241402FV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4-1 | تحقيق |
|
AFT26H250-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
 |
NE3503M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | تحقيق |
 |
BF1208D,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 | تحقيق |
|
AFT26HW050SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4 | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PGVQ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C | تحقيق |
 |
CE3521M4 | CEL | RF FET 4V 20GHZ SOT343 | تحقيق |
|
AFT26P100-4WGSR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF 2.6GHZ 100W NI780S-6 | تحقيق |
|
AFT26H160-4S4R3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI880X-4 | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-210PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | تحقيق |
|
AFT26H250W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
 |
BLF175,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 125V 20DB SOT123A | تحقيق |
 |
BLF6G38LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF2425M6LS180P:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B | تحقيق |
 |
AFT26P100-4WSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780S-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog