يشترى AFT26P100-4WSR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT26P100-4WSR3
- رقم القطعة:
- AFT26P100-4WSR3
- وصف:
- FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780S-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14066 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT26P100-4WSR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT26P100-4WSR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT26P100-4WSR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | NI-780S-4 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 22W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | NI-780S-4 |
| اسماء اخرى: | 935320111128 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT26P100-4WSR3 |
| ربح: | 15.1dB |
| تردد: | 2.69GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 200mA 2.69GHz 15.1dB 22W NI-780S-4 |
| وصف: | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780S-6 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT26P100-4WSR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PD57045-E | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | تحقيق |
 |
MRF7P20040HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 | تحقيق |
 |
CGHV27030S | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V 12VFDFN | تحقيق |
 |
AFT26H160-4S4R3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI880X-4 | تحقيق |
|
AFT26HW050GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 | تحقيق |
 |
BLC9G20LS-150PVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT12753 | تحقيق |
 |
2N5952 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 8MA TO92 | تحقيق |
|
AFT26HW050SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4 | تحقيق |
 |
BLC9G27LS-151AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12583 | تحقيق |
|
AFT26H050W26SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 | تحقيق |
 |
AFT26H200W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
 |
BF904WR,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT343 | تحقيق |
 |
CLF1G0035S-100PU | Ampleon USA Inc. | RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B | تحقيق |
 |
BF1009SRE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R | تحقيق |
|
AFT26P100-4WGSR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF 2.6GHZ 100W NI780S-6 | تحقيق |
|
AFT26H250W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
|
AFT26H250-24SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog