يشترى AFT20S015NR1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
AFT20S015NR1
- رقم القطعة:
- AFT20S015NR1
- وصف:
- FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14944 Pieces
- ورقة البيانات:
- AFT20S015NR1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل AFT20S015NR1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك AFT20S015NR1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-270-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-270AA |
| اسماء اخرى: | 935321859528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | AFT20S015NR1 |
| ربح: | 17.6dB |
| تردد: | 2.17GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 28V 132mA 2.17GHz 17.6dB 1.5W TO-270-2 |
| وصف: | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 132mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAFT20S015NR1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLC2425M9LS250Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701 | تحقيق |
 |
PTFB092707FHV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37288L-4 | تحقيق |
 |
AFT20S015GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G | تحقيق |
 |
AFT20P140-4WGNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW | تحقيق |
 |
NPT1004D | M/A-Com Technology Solutions | HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC | تحقيق |
 |
MRF5S9100MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-272-4 | تحقيق |
 |
NE5550234-T1-AZ | CEL | FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD | تحقيق |
 |
NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | تحقيق |
 |
MMRF1013HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.9GHZ | تحقيق |
|
PTAB182002TCV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 | تحقيق |
 |
SMMBFJ310LT3G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 10MA SOT23 | تحقيق |
|
AFT20P060-4GNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW | تحقيق |
 |
AFT20P060-4NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4 | تحقيق |
 |
MRF6S9130HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
BLF6G22LS-75,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.7DB SOT502B | تحقيق |
|
BF1214,115 | NXP USA Inc. | FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP | تحقيق |
|
AFT20P140-4WNR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog