3SK292(TE85R,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف 3SK292(TE85R,F)

3SK292(TE85R,F)

رقم القطعة:: 3SK292(TE85R,F)

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16902 Pieces

ورقة البيانات:: 3SK292(TE85R,F).pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 3SK292(TE85R,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 3SK292(TE85R,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى 3SK292(TE85R,F) مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	6V
الجهد - تقييمه:	12.5V
نوع الترانزستور:	N-Channel Dual Gate
تجار الأجهزة حزمة:	SMQ
سلسلة:	-
مخرج قوي:	-
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SC-61AA
اسماء اخرى:	3SK292 (TE85R,F) 3SK292(TE85RF)TR
الضوضاء الشكل:	1.4dB
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	3SK292(TE85R,F)
ربح:	26dB
تردد:	500MHz
وصف موسع:	RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 500MHz 26dB SMQ
وصف:	MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ
التصويت الحالي:	30mA
الحالي - اختبار:	10mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة ل3SK292(TE85R,F)

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
PTFB072707FHV1R250XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
AFT09S220-02NR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
CLF1G0035S-100,112	Ampleon USA Inc.	RF FET HEMT 150V 12DB SOT467B	تحقيق
BF908R,235	NXP USA Inc.	MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143	تحقيق
PTFA091201HL V1 R250	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2	تحقيق
3SK294(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	FET RF 12.5V 500MHZ USQ	تحقيق
3SK291(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH SMQ	تحقيق
BLF6G05LS-200RN,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B	تحقيق
CGHV14800F	Cree/Wolfspeed	800-W 1200-1400-MHZ GAN HEMT	تحقيق
MRF1535FNT1	NXP USA Inc.	IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6	تحقيق
MRF6P27160HR6	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.66GHZ NI-1230	تحقيق
3SK293(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	FET RF 12.5V 800MHZ USQ	تحقيق
MRF7S18125BHR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.93GHZ NI780	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار