يشترى VWM200-01P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VWM200-01P
- رقم القطعة:
- VWM200-01P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12387 Pieces
- ورقة البيانات:
- VWM200-01P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل VWM200-01P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك VWM200-01P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 2mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | V2-PAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.2 mOhm @ 100A, 10V |
| السلطة - ماكس: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | V2-PAK |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | VWM200-01P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 430nC @ 10V |
| نوع FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 210A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لVWM200-01P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI3590DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP | تحقيق |
 |
SI4562DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | تحقيق |
 |
PMDXB950UPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN | تحقيق |
|
SI4563DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC | تحقيق |
|
SI4808DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | تحقيق |
 |
SI7909DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 | تحقيق |
 |
NDS8961 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC | تحقيق |
 |
XP0187800L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P | تحقيق |
 |
PMWD19UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog