PMWD19UN,518 - NXP USA Inc. - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

رقم القطعة:: PMWD19UN,518

الصانع:: NXP Semiconductors / Freescale

وصف:: MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 14478 Pieces

ورقة البيانات:: PMWD19UN,518.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMWD19UN,518 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMWD19UN,518 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى PMWD19UN,518 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	700mV @ 1mA
تجار الأجهزة حزمة:	8-TSSOP
سلسلة:	TrenchMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
السلطة - ماكس:	2.3W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
اسماء اخرى:	568-2361-2 934057598518 PMWD19UN /T3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	PMWD19UN,518
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	1478pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	28nC @ 5V
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	30V
وصف:	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	5.6A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لPMWD19UN,518

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
PMWD16UN,518	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP	تحقيق
FDS6890A	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC	تحقيق
PMWD15UN,518	NXP USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP	تحقيق
XP0187800L	Panasonic Electronic Components	MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P	تحقيق
SI4562DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC	تحقيق
SI5947DU-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET	تحقيق
DMN63D8LV-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار