يشترى SUD23N06-31L-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SUD23N06-31L-E3
- رقم القطعة:
- SUD23N06-31L-E3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V TO252
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14868 Pieces
- ورقة البيانات:
- SUD23N06-31L-E3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SUD23N06-31L-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SUD23N06-31L-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252, (D-Pak) |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 31 mOhm @ 15A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3W (Ta), 100W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | SUD23N06-31L-E3-ND SUD23N06-31L-E3TR SUD23N0631LE3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SUD23N06-31L-E3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 670pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V TO252 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSUD23N06-31L-E3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK9E3R2-40E,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK | تحقيق |
 |
SUD23N06-31L-T4-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V TO252 | تحقيق |
 |
HUF75645S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | تحقيق |
|
SUD23N06-31-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252 | تحقيق |
 |
STP23NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A TO-220 | تحقيق |
|
SUD23N06-31-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 | تحقيق |
 |
FQD8P10TM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3 | تحقيق |
 |
IRF1104STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
TPCA8102(TE12L,Q,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV | تحقيق |
 |
NTD12N10T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK | تحقيق |
 |
AUIRFU8403 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A IPAK | تحقيق |
 |
NTB22N06LT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3 | تحقيق |
 |
IXTH76P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 76A TO-247 | تحقيق |
 |
STD8NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers