يشترى IXTH76P10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTH76P10T
- رقم القطعة:
- IXTH76P10T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 100V 76A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14853 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTH76P10T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTH76P10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTH76P10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±15V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 (IXTH) |
| سلسلة: | TrenchP™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 25 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 298W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTH76P10T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 197nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 100V 76A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET P-CH 100V 76A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 76A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTH76P10T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB80N06S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | تحقيق |
 |
IXTH7P50 | IXYS | MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD | تحقيق |
|
IXTH76N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 76A TO-247 | تحقيق |
 |
FQAF17N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 12.2A TO-3PF | تحقيق |
|
IXTH72N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH75N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD | تحقيق |
 |
NX3008NBKT,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SC-75 | تحقيق |
 |
HUFA75329D3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK | تحقيق |
|
IXTH72N30T | IXYS | MOSFET N-CH 300V 72A TO-247 | تحقيق |
|
HUFA76413P3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB | تحقيق |
|
IXTH74N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 74A TO-247 | تحقيق |
 |
IRLI2203N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP | تحقيق |
 |
BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | تحقيق |
|
IXTH75N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH72N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 72A TO-247 | تحقيق |
|
IXTH75N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 | تحقيق |
 |
SI7112DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 | تحقيق |
|
2SK4177-DL-E | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTQ10P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers