يشترى STW35N65M5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STW35N65M5
- رقم القطعة:
- STW35N65M5
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 27A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17707 Pieces
- ورقة البيانات:
- STW35N65M5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW35N65M5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW35N65M5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | MDmesh™ V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 98 mOhm @ 13.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 160W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 497-11000-5 STW35N65M5-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STW35N65M5 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3750pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 83nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 27A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 27A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTW35N65M5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FCB20N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | تحقيق |
 |
SFT1342-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK | تحقيق |
 |
IXFL70N60Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264 | تحقيق |
 |
NTLJS1102PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN | تحقيق |
 |
STW35N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 28A | تحقيق |
 |
BUK7526-100B,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 49A TO220AB | تحقيق |
 |
IRFB4115GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB | تحقيق |
 |
SPP08N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB | تحقيق |
 |
CSD25484F4 | Texas Instruments | P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | تحقيق |
 |
RZQ045P01TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 | تحقيق |
 |
AOTF12T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V TO-220F | تحقيق |
 |
PMV65UNER | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V TO-236AB | تحقيق |
 |
ZXMN7A11KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK | تحقيق |
 |
PSMN013-100XS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F | تحقيق |
 |
IRLR2705TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK | تحقيق |
|
2N7000G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 | تحقيق |
 |
ZVN0545A | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3 | تحقيق |
 |
SI7716ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 | تحقيق |
|
IXFL39N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers