يشترى IXFL39N90 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFL39N90
- رقم القطعة:
- IXFL39N90
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12705 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFL39N90.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFL39N90 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFL39N90 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS264™ |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 220 mOhm @ 19.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 580W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS264™ |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXFL39N90 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 375nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 900V 34A (Tc) 580W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف: | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFL39N90
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7Y08-40B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK | تحقيق |
 |
SIE860DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | تحقيق |
 |
IXFL34N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 | تحقيق |
 |
STP90N55F4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 90A TO220 | تحقيق |
 |
IXFL38N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 | تحقيق |
 |
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | تحقيق |
 |
SI3456DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP | تحقيق |
 |
IXTA2N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 2A TO-263 | تحقيق |
|
IXTY2R4N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK | تحقيق |
 |
FQPF5N90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F | تحقيق |
 |
IXTR62N15P | IXYS | MOSFET N-CH ISOPLUS-247 | تحقيق |
 |
IXFL38N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK | تحقيق |
 |
IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | تحقيق |
 |
AOT3N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220 | تحقيق |
|
IXFL30N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK | تحقيق |
 |
DMP4015SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK | تحقيق |
 |
FQP32N20C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 | تحقيق |
 |
STK28N3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 28A POLARPAK | تحقيق |
|
IXFL32N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK | تحقيق |
 |
STF23N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 16A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers