يشترى STW18NK60Z مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STW18NK60Z
- رقم القطعة:
- STW18NK60Z
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13247 Pieces
- ورقة البيانات:
- STW18NK60Z.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STW18NK60Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STW18NK60Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 100µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | SuperMESH™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 360 mOhm @ 8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 230W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 497-4422-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STW18NK60Z |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3540pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 170nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 16A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTW18NK60Z
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STW18NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | تحقيق |
 |
APT11N80KC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
APT17N80SC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK | تحقيق |
 |
FDP75N08A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220 | تحقيق |
 |
ZVP3310A | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 | تحقيق |
|
STW18NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | تحقيق |
 |
FMD47-06KC5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5 | تحقيق |
 |
2N7002ET1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 | تحقيق |
|
STW18N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A | تحقيق |
|
STW18N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 15A TO-247 | تحقيق |
 |
DMP6023LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO | تحقيق |
 |
BSH111,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 | تحقيق |
 |
STU16N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A IPAK | تحقيق |
 |
IXTA8PN50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK | تحقيق |
|
STW18NK80Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | تحقيق |
 |
IXTH80N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247 | تحقيق |
|
STW18NM80 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | تحقيق |
 |
SI5435BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8 | تحقيق |
|
STW18N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | تحقيق |
 |
STP50NE08 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 50A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers