يشترى APT11N80KC3G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 680µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 [K] |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 156W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | APT11N80KC3GMI APT11N80KC3GMI-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | APT11N80KC3G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1585pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220 [K] |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |