SSM6N7002BFE(T5L,F - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف SSM6N7002BFE(T5L,F

SSM6N7002BFE(T5L,F

رقم القطعة:: SSM6N7002BFE(T5L,F

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 18846 Pieces

ورقة البيانات:: 1.SSM6N7002BFE(T5L,F.pdf 2.SSM6N7002BFE(T5L,F.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SSM6N7002BFE(T5L,F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SSM6N7002BFE(T5L,F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SSM6N7002BFE(T5L,F مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	3.1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:	ES6 (1.6x1.6)
سلسلة:	-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	2.1 Ohm @ 500mA, 10V
السلطة - ماكس:	150mW
التعبئة والتغليف:	Original-Reel®
حزمة / كيس:	SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:	SSM6N7002BFE(T5LFDKR
درجة حرارة التشغيل:	150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SSM6N7002BFE(T5L,F
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	17pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	-
نوع FET:	2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:	Logic Level Gate
وصف موسع:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	60V
وصف:	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	200mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSSM6N7002BFE(T5L,F

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SSM6N7002BFE,LM	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6	تحقيق
SSM6N7002KFU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A	تحقيق
SSM6N7002CFU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6	تحقيق
SSM6N7002BFU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6	تحقيق
SSM6N7002BFU(T5L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار