يشترى SIZ900DT-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIZ900DT-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SIZ900DT-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18112 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIZ900DT-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIZ900DT-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIZ900DT-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-PowerPair™ |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 48W, 100W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-PowerPair™ |
| اسماء اخرى: | SIZ900DT-T1-GE3TR SIZ900DTT1GE3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SIZ900DT-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1830pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 45nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 24A, 28A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIZ900DT-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4500BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC | تحقيق |
 |
SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR | تحقيق |
 |
BSS8402DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 | تحقيق |
 |
SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6 | تحقيق |
 |
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | تحقيق |
 |
NTMFD4C86NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | تحقيق |
 |
FDS4935A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | تحقيق |
 |
AO6601 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP | تحقيق |
 |
BSD840N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 | تحقيق |
 |
DMN63D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V SOT523 | تحقيق |
|
DMN5L06DW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363 | تحقيق |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | تحقيق |
 |
FDG6303N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers