SI4500BDY-T1-E3
رقم القطعة:
SI4500BDY-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13598 Pieces
ورقة البيانات:
SI4500BDY-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4500BDY-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4500BDY-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI4500BDY-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
السلطة - ماكس:1.3W
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4500BDY-T1-E3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI4500BDY-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:17nC @ 4.5V
نوع FET:N and P-Channel, Common Drain
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6.6A, 3.8A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات