SIR626DP-T1-RE3
SIR626DP-T1-RE3
رقم القطعة:
SIR626DP-T1-RE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 60V 100A SO8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13387 Pieces
ورقة البيانات:
SIR626DP-T1-RE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIR626DP-T1-RE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIR626DP-T1-RE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIR626DP-T1-RE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SO-8
سلسلة:TrenchFET® Gen IV
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.7 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):104W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SO-8
اسماء اخرى:SIR626DP-T1-RE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:19 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIR626DP-T1-RE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5130pF @ 30V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:78nC @ 7.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):6V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 100A SO8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات