يشترى 2N7002BKM,315 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
2N7002BKM,315
- رقم القطعة:
- 2N7002BKM,315
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19427 Pieces
- ورقة البيانات:
- 2N7002BKM,315.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل 2N7002BKM,315 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك 2N7002BKM,315 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DFN1006-3 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-101, SOT-883 |
| اسماء اخرى: | 1727-4785-2 2N7002BKM,315-ND 2N7002BKM315 568-5976-2 568-5976-2-ND 934064287315 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | 2N7002BKM,315 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 50pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 450mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 450mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة ل2N7002BKM,315
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
2N7002BKMB,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN | تحقيق |
 |
2N7002PV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 | تحقيق |
 |
2N7002BKW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 | تحقيق |
 |
2N7002PS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | تحقيق |
 |
2N7002CK,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 | تحقيق |
|
2N7002P,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 | تحقيق |
|
2N7002P,235 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 | تحقيق |
|
2N7002BK,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23 | تحقيق |
|
2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | تحقيق |
|
2N7002PS,125 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | تحقيق |
|
2N7002PW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323 | تحقيق |
|
2N7002BKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | تحقيق |
|
2N7002BKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog