SI7960DP-T1-GE3
SI7960DP-T1-GE3
رقم القطعة:
SI7960DP-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12043 Pieces
ورقة البيانات:
SI7960DP-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7960DP-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7960DP-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI7960DP-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SO-8 Dual
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:21 mOhm @ 9.7A, 10V
السلطة - ماكس:1.4W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SO-8 Dual
اسماء اخرى:SI7960DP-T1-GE3TR
SI7960DPT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI7960DP-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:75nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6.2A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات