SI6924AEDQ-T1-GE3
رقم القطعة:
SI6924AEDQ-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18688 Pieces
ورقة البيانات:
SI6924AEDQ-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI6924AEDQ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI6924AEDQ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI6924AEDQ-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:8-TSSOP
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:33 mOhm @ 4.6A, 4.5V
السلطة - ماكس:1W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
اسماء اخرى:SI6924AEDQ-T1-GE3TR
SI6924AEDQT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI6924AEDQ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:10nC @ 4.5V
نوع FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 28V 4.1A 1W Surface Mount 8-TSSOP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):28V
وصف:MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.1A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات