SI6473DQ-T1-GE3
رقم القطعة:
SI6473DQ-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14864 Pieces
ورقة البيانات:
SI6473DQ-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI6473DQ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI6473DQ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI6473DQ-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:450mV @ 250µA (Min)
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-TSSOP
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):1.08W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI6473DQ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:70nC @ 5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6.2A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات