يشترى IPD110N12N3GBUMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11 mOhm @ 75A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 136W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD110N12N3 G IPD110N12N3 G-ND IPD110N12N3 GTR IPD110N12N3 GTR-ND IPD110N12N3G SP000674466 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | IPD110N12N3GBUMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4310pF @ 60V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 65nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 120V |
| وصف: | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |