يشترى SD56150 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SD56150
- رقم القطعة:
- SD56150
- الصانع:
- ST
- وصف:
- FET RF 65V 860MHZ M252
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18517 Pieces
- ورقة البيانات:
- SD56150.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SD56150 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SD56150 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 32V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | M252 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 150W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | M252 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SD56150 |
| ربح: | 16.5dB |
| تردد: | 860MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 32V 500mA 860MHz 16.5dB 150W M252 |
| وصف: | FET RF 65V 860MHZ M252 |
| التصويت الحالي: | 17A |
| الحالي - اختبار: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSD56150
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF282SR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2GHZ NI-200S | تحقيق |
|
AFT21H350W03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S | تحقيق |
|
A2T21S160-12SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
ARF443 | Microsemi Corporation | PWR MOSFET RF N-CH 300V TO-247AD | تحقيق |
 |
SD56120C | STMicroelectronics | FET RF 72V 860MHZ M246 | تحقيق |
|
SD56120 | STMicroelectronics | FET RF 65V 860MHZ M246 | تحقيق |
 |
BLC8G27LS-100AVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 | تحقيق |
 |
PD57006STR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
BLF7G20L-200,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A | تحقيق |
 |
PTAC260302FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248H-4 | تحقيق |
 |
SD56120M | STMicroelectronics | FET RF 65V 860MHZ M252 | تحقيق |
 |
MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230 | تحقيق |
 |
BF1212WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog