العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > RFM12U7X(TE12L,Q)
RFM12U7X(TE12L,Q)
RFM12U7X(TE12L,Q)
رقم القطعة:
RFM12U7X(TE12L,Q)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH PW-X
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15478 Pieces
ورقة البيانات:
RFM12U7X(TE12L,Q).pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RFM12U7X(TE12L,Q) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RFM12U7X(TE12L,Q) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RFM12U7X(TE12L,Q) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:7.2V
الجهد - تقييمه:20V
نوع الترانزستور:N-Channel
تجار الأجهزة حزمة:PW-X
سلسلة:-
مخرج قوي:12W
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:TO-271AA
اسماء اخرى:RFM12U7X(TE12LQ)CT
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RFM12U7X(TE12L,Q)
ربح:10.8dB
تردد:520MHz
وصف موسع:RF Mosfet N-Channel 7.2V 750mA 520MHz 10.8dB 12W PW-X
وصف:MOSFET N-CH PW-X
التصويت الحالي:4A
الحالي - اختبار:750mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRFM12U7X(TE12L,Q)

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MRF176GU Image MRF176GU M/A-Com Technology Solutions FET RF 2CH 125V 225MHZ 375-04 تحقيق
PTFB192503ELV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS تحقيق
BF1105WR,135 Image BF1105WR,135 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R تحقيق
PTFB181702FCV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS تحقيق
MRF373ALSR5 NXP USA Inc. FET RF 70V 860MHZ NI-360S تحقيق
CGH40035F Image CGH40035F Cree/Wolfspeed FET RF 84V 4GHZ 440193 تحقيق
MRF6VP3450HSR5 Image MRF6VP3450HSR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 860MHZ NI1230S تحقيق
BF1207,115 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP تحقيق
MRF8S21140HSR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 2.14GHZ NI780S تحقيق
MRF7S38010HSR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 3.6GHZ NI-400S تحقيق
PD84008-E Image PD84008-E STMicroelectronics FET RF 25V 870MHZ تحقيق
BLF548,112 Image BLF548,112 Ampleon USA Inc. RF FET 2 NC 65V 11DB SOT262A2 تحقيق
MRFG35003N6T1 Image MRFG35003N6T1 NXP USA Inc. FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD تحقيق
MRF7S38040HR5 NXP USA Inc. FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 تحقيق
PD57060S-E Image PD57060S-E STMicroelectronics FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 تحقيق

Latest الأخبار