يشترى PD84008-E مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PD84008-E
- رقم القطعة:
- PD84008-E
- الصانع:
- ST
- وصف:
- FET RF 25V 870MHZ
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14295 Pieces
- ورقة البيانات:
- PD84008-E.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PD84008-E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PD84008-E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 7.5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 25V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| اسماء اخرى: | 497-8289 497-8289-5 497-8289-ND PD84008E |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PD84008-E |
| ربح: | 16.2dB |
| تردد: | 870MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 7.5V 250mA 870MHz 16.2dB 2W PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| وصف: | FET RF 25V 870MHZ |
| التصويت الحالي: | 7A |
| الحالي - اختبار: | 250mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPD84008-E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PD84010-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | تحقيق |
 |
PD84010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
PTFA071701EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 170W H36248-2 | تحقيق |
 |
PD84010TR-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ 10PWRSOIC | تحقيق |
 |
PD84002 | STMicroelectronics | FET RF 25V 870MHZ | تحقيق |
 |
PD84006L-E | STMicroelectronics | FET RF 25V 870MHZ | تحقيق |
 |
PD84006-E | STMicroelectronics | FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF | تحقيق |
|
PD84001 | STMicroelectronics | FET RF 18V 870MHZ | تحقيق |
|
PD84008S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
|
PD84008L-E | STMicroelectronics | FET RF 25V 870MHZ | تحقيق |
 |
BLF278/01,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1 | تحقيق |
 |
NE4210S01 | CEL | HJ-FET 13DB S01 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog