يشترى RAQ045P01TCR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RAQ045P01TCR
- رقم القطعة:
- RAQ045P01TCR
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16325 Pieces
- ورقة البيانات:
- RAQ045P01TCR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RAQ045P01TCR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RAQ045P01TCR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | -8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TSMT6 (SC-95) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 600mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | RAQ045P01TCRTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | RAQ045P01TCR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4200pF @ 6V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 12V 4.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
| وصف: | MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRAQ045P01TCR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTY2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252 | تحقيق |
 |
BUK9506-55B,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
IXFT20N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 | تحقيق |
 |
SQ2315ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHAN 12V SOT23 | تحقيق |
 |
STB60NF10-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK | تحقيق |
 |
IXTA2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | تحقيق |
 |
IXTH220N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 220A TO-247 | تحقيق |
 |
STD100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 100V 80A DPAK | تحقيق |
 |
TPCC8005-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON | تحقيق |
 |
RAQ045P01MGTCR | Rohm Semiconductor | 1.5V DRIVE PCH MOSFET | تحقيق |
 |
SUM110N05-06L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK | تحقيق |
 |
STF4N52K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP | تحقيق |
 |
RF4E080GNTR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML | تحقيق |
|
IRF737LCSTRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK | تحقيق |
 |
FCD3400N80Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK | تحقيق |
|
IXTA64N10L2 | IXYS | N-CHANNEL: LINEAR POWER MOSFETS | تحقيق |
 |
NVGS5120PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog