يشترى TPCC8005-H(TE12LQM مع BYCHPS
شراء مع ضمان
TPCC8005-H(TE12LQM
- رقم القطعة:
- TPCC8005-H(TE12LQM
- الصانع:
- Toshiba Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14757 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.TPCC8005-H(TE12LQM.pdf2.TPCC8005-H(TE12LQM.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل TPCC8005-H(TE12LQM ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك TPCC8005-H(TE12LQM عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 500µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSON |
| سلسلة: | U-MOSVI-H |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.4 mOhm @ 13A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-VDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | TPCC8005-H(TE12LQMTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | TPCC8005-H(TE12LQM |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2900pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 35nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 26A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 26A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لTPCC8005-H(TE12LQM
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | تحقيق |
|
TPCC8008(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON | تحقيق |
 |
TPCC8066-H,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV | تحقيق |
|
TPCC8065-H,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV | تحقيق |
|
TPCC8A01-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON | تحقيق |
|
TPCC8002-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | تحقيق |
|
TPCC8067-H,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV | تحقيق |
|
TPCC8002-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | تحقيق |
|
TPCC8003-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON | تحقيق |
|
TPCC8009,LQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV | تحقيق |
|
TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers