يشترى PTFA092201E V1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTFA092201E V1
- رقم القطعة:
- PTFA092201E V1
- وصف:
- FET RF 65V 960MHZ H-36260-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12203 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTFA092201E V1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTFA092201E V1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTFA092201E V1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 30V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-36260-2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 220W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 2-Flatpack, Fin Leads |
| اسماء اخرى: | SP000235920 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | PTFA092201E V1 |
| ربح: | 18.5dB |
| تردد: | 960MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-36260-2 |
| وصف: | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 |
| التصويت الحالي: | 10µA |
| الحالي - اختبار: | 1.85A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTFA092201E V1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA092211FLV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | تحقيق |
|
PTFA092201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | تحقيق |
|
PTFA092201FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | تحقيق |
 |
PTFA092201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | تحقيق |
 |
PTFA092211ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 220W H33288-2 | تحقيق |
|
PTFA092201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA092201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | تحقيق |
|
PTFA092213ELV4R250XTMA2 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | تحقيق |
|
PTFA092213ELV4T400XWSA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS H-33288-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog