يشترى PHD63NQ03LT,118 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 1mA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
سلسلة: | TrenchMOS™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 13 mOhm @ 25A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 111W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
اسماء اخرى: | 934057020118 PHD63NQ03LT/T3 PHD63NQ03LT/T3-ND |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | PHD63NQ03LT,118 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 920pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 9.6nC @ 5V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 30V 68.9A (Tc) 111W (Tc) Surface Mount DPAK |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 68.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |