يشترى IPL65R190E6AUMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPL65R190E6AUMA1
- رقم القطعة:
- IPL65R190E6AUMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 4VSON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18600 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPL65R190E6AUMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPL65R190E6AUMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPL65R190E6AUMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 700µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-VSON-4 |
| سلسلة: | CoolMOS™ E6 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 151W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-PowerTSFN |
| اسماء اخرى: | SP001074938 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPL65R190E6AUMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1620pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 73nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 4VSON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPL65R190E6AUMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R340CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R660E6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R310E6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | تحقيق |
|
IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | تحقيق |
|
IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
 |
IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R725CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R210CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R460CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R420E6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | تحقيق |
|
IPL65R650C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog