NVD5802NT4G-VF01
NVD5802NT4G-VF01
رقم القطعة:
NVD5802NT4G-VF01
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16209 Pieces
ورقة البيانات:
NVD5802NT4G-VF01.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NVD5802NT4G-VF01 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NVD5802NT4G-VF01 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NVD5802NT4G-VF01 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DPAK-3
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.4 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:NVD4856NT4G-VF01
NVD5802NT4G
NVD5802NT4G-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:34 Weeks
الصانع الجزء رقم:NVD5802NT4G-VF01
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5300pF @ 12V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:100nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 16.4A (Ta), 101A (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Surface Mount DPAK-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:16.4A (Ta), 101A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات