العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
رقم القطعة:
NTZS3151PT1H
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18926 Pieces
ورقة البيانات:
NTZS3151PT1H.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTZS3151PT1H ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTZS3151PT1H عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTZS3151PT1H مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-563-6
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:150 mOhm @ 950mA, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):170mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:NTZS3151PT1H
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:458pF @ 16V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:5.6nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563-6
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:860mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لNTZS3151PT1H

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RP1E090XNTCR Image RP1E090XNTCR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 تحقيق
NTZS3151PT5G Image NTZS3151PT5G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 تحقيق
NTZS3151PT1G Image NTZS3151PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 تحقيق
IXTT36P10 Image IXTT36P10 IXYS MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 تحقيق
IPB45N06S3L-13 Image IPB45N06S3L-13 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 تحقيق
IXFH94N30P3 Image IXFH94N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 تحقيق
FQP4N90 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220 تحقيق
NTE4153NT1G Image NTE4153NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 تحقيق
IPB04N03LB Image IPB04N03LB Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK تحقيق
APT7M120S Image APT7M120S Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK تحقيق
NVJS4151PT1G Image NVJS4151PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 تحقيق
SI1473DH-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 تحقيق
NVMFS5C612NLT1G Image NVMFS5C612NLT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL تحقيق

Latest الأخبار