يشترى IXTT36P10 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTT36P10
- رقم القطعة:
- IXTT36P10
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET P-CH 100V 36A TO-268
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13966 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTT36P10.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT36P10 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT36P10 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IXTT36P10 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 100V 36A (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT36P10
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP120N06NGAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220 | تحقيق |
 |
FCPF22N60NT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F | تحقيق |
 |
IXTT1N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 | تحقيق |
 |
NTMS3P03R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | تحقيق |
|
IXTT30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | تحقيق |
 |
IRFS3806TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTT30N60L2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 | تحقيق |
 |
IXTT36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 | تحقيق |
|
IXTT30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 | تحقيق |
 |
IXTT360N055T2 | IXYS | MOSFET N-CH 55V 360A TO268 | تحقيق |
 |
TK6A80E,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 800V TO220SIS | تحقيق |
 |
IXTT30N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 | تحقيق |
 |
IRFUC20 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK | تحقيق |
 |
RUL035N02TR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 | تحقيق |
 |
IXFN30N110P | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B | تحقيق |
 |
IXTT30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | تحقيق |
|
IXTT3N200P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
 |
STP20NM60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers