NTMSD6N303R2
رقم القطعة:
NTMSD6N303R2
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
13593 Pieces
ورقة البيانات:
NTMSD6N303R2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTMSD6N303R2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTMSD6N303R2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTMSD6N303R2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:FETKY™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:32 mOhm @ 6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:NTMSD6N303R2OS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NTMSD6N303R2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:950pF @ 24V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:30nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Schottky Diode (Isolated)
وصف موسع:N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات