NTMSD2P102LR2G - ON Semiconductor - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة NTMSD2P102LR2G

NTMSD2P102LR2G

رقم القطعة:: NTMSD2P102LR2G

الصانع:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

وصف:: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16775 Pieces

ورقة البيانات:: NTMSD2P102LR2G.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTMSD2P102LR2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTMSD2P102LR2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NTMSD2P102LR2G مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1.5V @ 250µA
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	8-SOIC
سلسلة:	FETKY™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):	710mW (Ta)
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:	NTMSD2P102LR2GOS
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:	NTMSD2P102LR2G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	750pF @ 16V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	18nC @ 4.5V
نوع FET:	P-Channel
FET الميزة:	Schottky Diode (Isolated)
وصف موسع:	P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	20V
وصف:	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	2.3A (Ta)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNTMSD2P102LR2G

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
NTMSD2P102R2SG	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC	تحقيق
NTMSD2P102R2	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC	تحقيق
NTMSD2P102LR2	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC	تحقيق
NTMSD3P102R2G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC	تحقيق
NTMSD6N303R2	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC	تحقيق
NTMSD3P102R2SG	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC	تحقيق
NTMSD3P102R2	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار