NTMSD2P102LR2G
رقم القطعة:
NTMSD2P102LR2G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16775 Pieces
ورقة البيانات:
NTMSD2P102LR2G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTMSD2P102LR2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTMSD2P102LR2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTMSD2P102LR2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:FETKY™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):710mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:NTMSD2P102LR2GOS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع الجزء رقم:NTMSD2P102LR2G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:750pF @ 16V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:18nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:Schottky Diode (Isolated)
وصف موسع:P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.3A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات