العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > NE55410GR-AZ
NE55410GR-AZ
رقم القطعة:
NE55410GR-AZ
الصانع:
CEL (California Eastern Laboratories)
وصف:
FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19071 Pieces
ورقة البيانات:
1.NE55410GR-AZ.pdf2.NE55410GR-AZ.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE55410GR-AZ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE55410GR-AZ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NE55410GR-AZ مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:28V
الجهد - تقييمه:65V
نوع الترانزستور:LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:16-HTSSOP
سلسلة:-
مخرج قوي:35.4dBm
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:16-DFF, Exposed Pad
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NE55410GR-AZ
ربح:13.5dB
تردد:2.14GHz
وصف موسع:RF Mosfet LDMOS 28V 20mA 2.14GHz 13.5dB 35.4dBm 16-HTSSOP
وصف:FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
التصويت الحالي:250mA, 1A
الحالي - اختبار:20mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لNE55410GR-AZ

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
NE3511S02-T1C-A Image NE3511S02-T1C-A CEL IC AMP RF LNA 13.5DB S02 تحقيق
LET9045S Image LET9045S STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A تحقيق
AFT09S200W02GNR3 NXP USA Inc. FET RF 70V 960MHZ PLD تحقيق
MRFG35003NT1 Image MRFG35003NT1 NXP USA Inc. FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD تحقيق
NE55410GR-T3-AZ CEL FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP تحقيق
PTFC262808SVV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS تحقيق
MRF6S19060NR1 Image MRF6S19060NR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 تحقيق
ATF-541M4-BLK Image ATF-541M4-BLK Broadcom Limited IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM تحقيق
IXZR18N50B-00 Image IXZR18N50B-00 IXYS RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 تحقيق
BLF574XRS,112 Image BLF574XRS,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214B تحقيق
ATF-38143-TR1G Image ATF-38143-TR1G Broadcom Limited IC PHEMT 1.9GHZ 4.5V 10MA SOT343 تحقيق
BF1102R,135 NXP USA Inc. FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP تحقيق
CGH40025F Image CGH40025F Cree/Wolfspeed FET RF 84V 6GHZ 440166 تحقيق
MRFE6VP8600HSR6 Image MRFE6VP8600HSR6 NXP USA Inc. FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S تحقيق

Latest الأخبار