يشترى MRF8VP13350GNR3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF8VP13350GNR3
- رقم القطعة:
- MRF8VP13350GNR3
- وصف:
- TRANS RF LDMOS 350W 50V
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14251 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.MRF8VP13350GNR3.pdf2.MRF8VP13350GNR3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF8VP13350GNR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF8VP13350GNR3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 100V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | OM-780G-4L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 350W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | OM-780G-4L |
| اسماء اخرى: | 935320727528 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MRF8VP13350GNR3 |
| ربح: | 19.2dB |
| تردد: | 1.3GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 1.3GHz 19.2dB 350W OM-780G-4L |
| وصف: | TRANS RF LDMOS 350W 50V |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF8VP13350GNR3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G27-100,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | تحقيق |
 |
MRF7S38010HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 3.6GHZ NI-400 | تحقيق |
|
ON5448,518 | NXP USA Inc. | MOSFET RF 64QFP | تحقيق |
|
MRF5S4140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780S | تحقيق |
|
MRF8S18120HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S | تحقيق |
|
A2I25D025GNR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF8VP13350NR3 | NXP USA Inc. | TRANS RF LDMOS 350W 50V | تحقيق |
|
BLF2425M8L140J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A | تحقيق |
 |
MRF6S21050LR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 | تحقيق |
|
MRF9030NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ TO272-2 | تحقيق |
 |
BLM7G22S-60PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
 |
MRF18090AR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.81GHZ NI-880 | تحقيق |
 |
PTVA120251EAV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
BLF7G20LS-140P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog