يشترى BLM7G22S-60PBY مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BLM7G22S-60PBY
- رقم القطعة:
- BLM7G22S-60PBY
- الصانع:
- Ampleon
- وصف:
- RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18388 Pieces
- ورقة البيانات:
- BLM7G22S-60PBY.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BLM7G22S-60PBY ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BLM7G22S-60PBY عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-HSOP |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1.6W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | SOT-1212-1 |
| اسماء اخرى: | 568-12806-6 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BLM7G22S-60PBY |
| ربح: | 31.5dB |
| تردد: | 2.14GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 75mA 2.14GHz 31.5dB 1.6W 16-HSOP |
| وصف: | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 75mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBLM7G22S-60PBY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BLM7G24S-30BGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-80PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-40ABY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12112 | تحقيق |
|
BLM7G22S-60PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-80ABGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-80ABY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111 | تحقيق |
 |
BLP10H605Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
|
BLM7G1822S-40ABGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12122 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-40PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-20PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12111 | تحقيق |
|
BLM7G1822S-40PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111 | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-80PBY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 | تحقيق |
 |
MRF19045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S | تحقيق |
|
BLM7G1822S-20PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121 | تحقيق |
|
MRF5S4140HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780S | تحقيق |
 |
BLF988,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog