يشترى MRF1K50GNR5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MRF1K50GNR5
- رقم القطعة:
- MRF1K50GNR5
- وصف:
- WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18581 Pieces
- ورقة البيانات:
- MRF1K50GNR5.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MRF1K50GNR5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MRF1K50GNR5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 50V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 50V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | OM-1230G-4L |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 1500W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | OM-1230G-4L |
| اسماء اخرى: | 568-13080-2 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MRF1K50GNR5 |
| ربح: | 23dB |
| تردد: | 1.8MHz ~ 500MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 50V 1.8MHz ~ 500MHz 23dB 1500W OM-1230G-4L |
| وصف: | WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMRF1K50GNR5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ARF449BG | Microsemi Corporation | RF PWR MOSFET 450V TO-247 | تحقيق |
 |
PXAC260602FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
MRF1K50HR5 | NXP USA Inc. | HIGH POWER RF TRANSISTOR | تحقيق |
 |
MRF8P20160HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.92GHZ | تحقيق |
 |
PD55008 | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ POWERFLAT | تحقيق |
 |
BLP10H603Z | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN | تحقيق |
 |
MRF1K50NR5 | NXP USA Inc. | WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST | تحقيق |
 |
BLF647PSJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | تحقيق |
 |
PTF180101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 | تحقيق |
 |
BF245A | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 | تحقيق |
 |
2N5952_D74Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 8MA TO92 | تحقيق |
 |
BF511,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 20V 30MA SOT23 | تحقيق |
 |
BLF4G22S-100,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | تحقيق |
|
MRF6S19100MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog