MJ11032G
MJ11032G
رقم القطعة:
MJ11032G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12516 Pieces
ورقة البيانات:
MJ11032G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MJ11032G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MJ11032G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MJ11032G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):120V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:3.5V @ 500mA, 50A
نوع الترانزستور:NPN - Darlington
تجار الأجهزة حزمة:TO-3
سلسلة:-
السلطة - ماكس:300W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:TO-204AE
اسماء اخرى:MJ11032GOS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 200°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:MJ11032G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3
وصف:TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:1000 @ 25A, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):2mA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):50A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات