MJ11015G
MJ11015G
رقم القطعة:
MJ11015G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS PNP DARL 120V 30A TO3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14207 Pieces
ورقة البيانات:
MJ11015G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MJ11015G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MJ11015G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MJ11015G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):120V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:4V @ 300mA, 30A
نوع الترانزستور:PNP - Darlington
تجار الأجهزة حزمة:TO-3
سلسلة:-
السلطة - ماكس:200W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:TO-204AA, TO-3
اسماء اخرى:MJ11015GOS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 200°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:9 Weeks
الصانع الجزء رقم:MJ11015G
تردد - تحول:4MHz
وصف موسع:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-3
وصف:TRANS PNP DARL 120V 30A TO3
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:1000 @ 20A, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):1mA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):30A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات