العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - صفائف > LKK47-06C5
LKK47-06C5
رقم القطعة:
LKK47-06C5
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19394 Pieces
ورقة البيانات:
LKK47-06C5.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل LKK47-06C5 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك LKK47-06C5 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى LKK47-06C5 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.9V @ 3mA
تجار الأجهزة حزمة:ISOPLUS264™
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:45 mOhm @ 44A, 10V
السلطة - ماكس:-
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:ISOPLUS264™
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:LKK47-06C5
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6800pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:190nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Super Junction
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 47A Through Hole ISOPLUS264™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:47A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لLKK47-06C5

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SIA918EDJ-T1-GE3 Image SIA918EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6 تحقيق
SI4922BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC تحقيق
UPA1764G-E2-AZ Renesas Electronics America MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC تحقيق
APTM10TDUM09PG Image APTM10TDUM09PG Microsemi Corporation MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P تحقيق
IRF5850 Image IRF5850 Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP تحقيق
MVDF1N05ER2G ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC تحقيق
SI1034CX-T1-GE3 Image SI1034CX-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 20V SC89-6 تحقيق
NX3020NAKV,115 Image NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 تحقيق
SIA519EDJ-T1-GE3 Image SIA519EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 تحقيق
IRF7504TR Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8 تحقيق
IRFHS9351TR2PBF Image IRFHS9351TR2PBF Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN تحقيق
BSS84V-7 Image BSS84V-7 Diodes Incorporated MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 تحقيق
NTJD2152PT4G Image NTJD2152PT4G ON Semiconductor MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 تحقيق
STL60N32N3LL Image STL60N32N3LL STMicroelectronics MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT تحقيق

Latest الأخبار