SIA519EDJ-T1-GE3
SIA519EDJ-T1-GE3
رقم القطعة:
SIA519EDJ-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18449 Pieces
ورقة البيانات:
SIA519EDJ-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIA519EDJ-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIA519EDJ-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIA519EDJ-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.4V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SC-70-6 Dual
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
السلطة - ماكس:7.8W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SC-70-6 Dual
اسماء اخرى:SIA519EDJ-T1-GE3TR
SIA519EDJT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIA519EDJ-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:350pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 10V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات