يشترى KBU6D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
KBU6D
- رقم القطعة:
- KBU6D
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE BRIDGE 200V 6A KBU
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13848 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.KBU6D.pdf2.KBU6D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل KBU6D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك KBU6D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 200V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 6A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | KBU |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 4-SIP, KBU |
| اسماء اخرى: | 1242-1260 KBU6DGN KBU6DGN-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | KBU6D |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole KBU |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | DIODE BRIDGE 200V 6A KBU |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لKBU6D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
KBPC3510T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 35A KBPC-T | تحقيق |
 |
GBPC5006-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 600V 50A GBPC | تحقيق |
 |
GBPC5004T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 50A GBPC-T/W | تحقيق |
|
KBU6G | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 400V 6A KBU | تحقيق |
 |
KBU6B | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 100V 6A KBU | تحقيق |
 |
APTDC40H601G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | تحقيق |
 |
RS504-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE CELL 400V 5A RS5 | تحقيق |
 |
MB6M-BP | Micro Commercial Co | DIODE BRIDGE GPP 0.5A MB-1 | تحقيق |
 |
KBP08M-M4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 1.5A 800V KBPM | تحقيق |
 |
GBPC3508W | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W | تحقيق |
|
KBU6M | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 1000V 6A KBU | تحقيق |
 |
DBD250G | ON Semiconductor | DIODE BRIDGE 1PH 25A 600V SIP | تحقيق |
|
KBU6A | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 50V 6A KBU | تحقيق |
|
KBU6J | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 6A KBU | تحقيق |
|
60MT120KB | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 1200V 60A MTK | تحقيق |
 |
UC2610NG4 | Texas Instruments | IC SCHOTTKY DIODE BRIDGE 8-DIP | تحقيق |
|
KBU6K | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 800V 6A KBU | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers