يشترى IXTT26N60P مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTT26N60P
- رقم القطعة:
- IXTT26N60P
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16088 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTT26N60P.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT26N60P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT26N60P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | PolarHV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 460W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTT26N60P |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4150pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 72nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 26A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 26A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTT26N60P
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STP310N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 100V 180A TO-220 | تحقيق |
 |
FQP7N40 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 7A TO-220 | تحقيق |
 |
IRFR3708 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | تحقيق |
 |
IXTT2N170D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268 | تحقيق |
 |
SPD04P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 | تحقيق |
 |
HUF75321S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK | تحقيق |
|
IXTT24P20 | IXYS | MOSFET P-CH 200V 24A TO-268 | تحقيق |
|
FDP10N60NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 | تحقيق |
 |
NTMFS4H01NFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL | تحقيق |
|
IXTT2N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
 |
IXTH30N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | تحقيق |
|
IXTT20N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 | تحقيق |
 |
DMP2035UFCL-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN | تحقيق |
 |
FQU2N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK | تحقيق |
|
IXTT26N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 | تحقيق |
 |
IXTT20P50P | IXYS | MOSFET P-CH 500V 20A TO-268 | تحقيق |
 |
TK15A60U(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS | تحقيق |
 |
SIHP14N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB | تحقيق |
 |
SIR640DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers