العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXTT20P50P
IXTT20P50P
IXTT20P50P
رقم القطعة:
IXTT20P50P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET P-CH 500V 20A TO-268
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19107 Pieces
ورقة البيانات:
IXTT20P50P.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTT20P50P ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTT20P50P عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTT20P50P مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-268
سلسلة:PolarP™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:450 mOhm @ 10A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):460W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTT20P50P
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5120pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:103nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 500V 20A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET P-CH 500V 20A TO-268
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXTT20P50P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
SPD02N80C3ATMA1 Image SPD02N80C3ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 تحقيق
IXTT2N170D2 Image IXTT2N170D2 IXYS MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268 تحقيق
IXTA1R6N100D2 Image IXTA1R6N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK تحقيق
IXTT20N50D Image IXTT20N50D IXYS MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 تحقيق
SIHP15N65E-GE3 Image SIHP15N65E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB تحقيق
IXTT24P20 Image IXTT24P20 IXYS MOSFET P-CH 200V 24A TO-268 تحقيق
IRF3808STRLPBF Image IRF3808STRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK تحقيق
FDP51N25 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 تحقيق
IRFR3710ZTRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 42A DPAK تحقيق
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE تحقيق
BUK9880-55,135 Image BUK9880-55,135 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 تحقيق
IXTT26N50P Image IXTT26N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 تحقيق
IRF734PBF Image IRF734PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB تحقيق
IXTY1N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252 تحقيق
SI2321-TP Micro Commercial Co P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE تحقيق
IXFX210N17T Image IXFX210N17T IXYS MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 تحقيق
RSH100N03TB1 Image RSH100N03TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A SOP8 تحقيق
IXTT2N300P3HV Image IXTT2N300P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF تحقيق
IXTT26N60P Image IXTT26N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 تحقيق

Latest الأخبار