IXTP08N100D2
IXTP08N100D2
رقم القطعة:
IXTP08N100D2
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19914 Pieces
ورقة البيانات:
IXTP08N100D2.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTP08N100D2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTP08N100D2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IXTP08N100D2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:21 Ohm @ 400mA, 0V
تبديد الطاقة (ماكس):60W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IXTP08N100D2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:325pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:14.6nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Depletion Mode
وصف موسع:N-Channel 1000V (1kV) 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):-
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V (1kV)
وصف:MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:800mA (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات