يشترى IXTP01N100D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTP01N100D
- رقم القطعة:
- IXTP01N100D
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18397 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTP01N100D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTP01N100D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTP01N100D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 110 Ohm @ 50mA, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | 607074 Q1614635 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTP01N100D |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 120pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTP01N100D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | تحقيق |
|
IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | تحقيق |
|
IXTP02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | تحقيق |
|
IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | تحقيق |
|
IXTP02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 | تحقيق |
 |
FDP8874 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRF840 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 | تحقيق |
 |
FQD6N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK | تحقيق |
 |
NVD6824NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 40A DPAK | تحقيق |
 |
FK3303010L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 30V 100MA SSSMINI3 | تحقيق |
 |
IRFR3504ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | تحقيق |
|
IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | تحقيق |
 |
SI4425DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN3007LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BST82,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 | تحقيق |
|
IXTP08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB | تحقيق |
|
IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | تحقيق |
|
IXTP06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | تحقيق |
|
IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers