يشترى IXTN200N10T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTN200N10T
- رقم القطعة:
- IXTN200N10T
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12196 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTN200N10T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTN200N10T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTN200N10T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سلسلة: | TrenchMV™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 550W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTN200N10T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 152nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 200A 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTN200N10T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTN22N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 | تحقيق |
|
IXTN210P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 | تحقيق |
|
IXTN200N10L2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227 | تحقيق |
 |
DMN2230UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 20V 2A SOT23 | تحقيق |
 |
IRFU014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK | تحقيق |
 |
IRF7580MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET | تحقيق |
 |
SQJA80EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 60A SO8 | تحقيق |
 |
RRS100P03TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC | تحقيق |
 |
STP200NF04L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 | تحقيق |
 |
QS5U21TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 | تحقيق |
 |
IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | تحقيق |
 |
STP25N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB | تحقيق |
 |
FQP13N50C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220 | تحقيق |
 |
IPP052N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | تحقيق |
 |
2SK3044 | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D | تحقيق |
|
IXTN21N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers